EOS和ESD一般都是通过FA看内部损坏的情况再界定。
EOS因为是过电应力的损坏，所以一般都有比较明显的损坏痕迹，例如wire烧毁，芯片明显的burn mark，fused compound，fused silicon等等，因为过电应力的能量很大，而且时间相对ESD来说比较长，所以烧毁痕迹很容易观察到，明显有变色，拉弧，烧熔等痕迹。
但是ESD的损坏痕迹就不明显，一般都是开封后内部结构基本很完整，只有通过失效定位找到ESD的损坏点，然后进一步查找ESD击穿点，通常都是氧化层的针孔击穿等很小的放电痕迹。
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