EOS
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EOS失效机理有哪些呢？
对于EOS的失效可能是技术兼容性、负载、电路板或系统集成产生的。那么其它的失效机理有哪些呢？ 1、半导体工艺和应用不匹配 2、键合引线失效 3、外部负载导致的芯片失效 4、印刷电路…
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EOS事件应包括哪些呢？
EOS（过电应力）对电子系统来说与半导体器件相关。EOS事件是可观察到的电气条件分类之一。 EOS事件可包括： 静电放电（ESD） 系统瞬态 雷击 充电 电磁脉冲（Electrom…
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ESD和EOS失效怎么判定？
EOS和ESD一般都是通过FA看内部损坏的情况再界定。 EOS因为是过电应力的损坏，所以一般都有比较明显的损坏痕迹，例如wire烧毁，芯片明显的burn mark，fused co…
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电气过载（EOS）/ 静电释放（ESD）损害的预防 – 电气过载(EOS)
电子元器件会受到许多不同来源的意外电能损害。这些意外电能可能来自ESD 电压或来自我们所使用的工具如电烙铁、吸锡器、测试仪器或操作其它电子设备所产生的尖峰电脉冲。有些设备较其它设备…
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电气过载（EOS）/ 静电释放（ESD）损害的预防
静电释放（ESD）是当静电源产生静电时，静电荷从一个物件迅速地传到另一个物件的现象。当静电荷与静电敏感元件接触或接近时会对元件造成损伤。&…
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ESD和EOS的FA经验和可靠性测试方法
到现在为止，ESD和EOS的FA测试与分析主要还是对现有失效器件采用必要的设备进行形貌、电流分布热点观察以及成分观察后对比HBM模式实验结果来确认，暂时不能在生产现场立刻获得ESD…
