闩锁(latchup)效应是描述半导体器件内发生的特殊类型短路的一个术语。形成的寄生结构包含P道MOSFET和N沟MOSFET晶体管,从而导致寄生的PNPN结构产生。在MOSFET电路的电源供给线之间会意外形成一个低阻通路,导致进入低电压大电流状态。这会导致功能中断,并会产生热奔、过电应力和封装损坏。
© 版权声明
本文由ESD圈收集整理分享,如转载请注明出处;
如有侵权,请邮件联系 admin@esd0.com 删除。
=======================================
本站发布的文章以及附件仅限用于学习和研究使用;不得将上述内容用于商业或者非法用途,否则,后果请用户自负。
本站信息来自网络,版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内,从您的电脑中彻底删除上述内容。
如果您对本站的标准感兴趣,请前往对应的标准官方网站购买并得到授权。如有侵权请邮件与我们联系处理。
如有侵权,请邮件联系 admin@esd0.com 删除。
=======================================
本站发布的文章以及附件仅限用于学习和研究使用;不得将上述内容用于商业或者非法用途,否则,后果请用户自负。
本站信息来自网络,版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内,从您的电脑中彻底删除上述内容。
如果您对本站的标准感兴趣,请前往对应的标准官方网站购买并得到授权。如有侵权请邮件与我们联系处理。
THE END
暂无评论内容