2018年11月的文章

EOS来源有哪些?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

EOS来源有哪些?

大家接触过ESD的静电来源,也知道大概的防护方向,那么EOS的来源有哪些呢,我们来细分下: 雷击 电磁脉冲 机械装置 配电装置 开关、继电器和线圈 产品设计
EOS失效机理有哪些呢?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

EOS失效机理有哪些呢?

对于EOS的失效可能是技术兼容性、负载、电路板或系统集成产生的。那么其它的失效机理有哪些呢? 1、半导体工艺和应用不匹配 2、键合引线失效 3、外部负载导致的芯片失效 4、印刷电路板(PCB)至...
EOS事件应包括哪些呢?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

EOS事件应包括哪些呢?

EOS(过电应力)对电子系统来说与半导体器件相关。EOS事件是可观察到的电气条件分类之一。 EOS事件可包括: 静电放电(ESD) 系统瞬态 雷击 充电 电磁脉冲(Electromagnetic Pulse,EMP) 然而E...
防静电手腕带佩戴后为什么会过敏!-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

防静电手腕带佩戴后为什么会过敏!

说起防静电手腕带,想必大家在电子工厂做过的朋友都知道,防静电手腕带是佩戴于人体手腕上的一种能有效释放人体聚积静电电荷的装备,并有效的保护电子器件免受静电损坏等不良现象发生。 那么有...
绿色、蓝色、白色、粉红色LED抗静电为何要弱一些?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

绿色、蓝色、白色、粉红色LED抗静电为何要弱一些?

这类LED芯片大多数都属于双电机构,它的两个电极层之间的厚度要比单电极的要薄很多,材质也不一样。因此它的抗静电往往弱一些。 通常容易死灯、漏电的LED往往都是蓝、绿、白这类LED。
为何红灯、黄绿类型的LED抗静电能力明显要强?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

为何红灯、黄绿类型的LED抗静电能力明显要强?

这类LED芯片是单电极结构,它两个电极之间的材质、厚度、衬底材料与双电极的蓝绿光LED不一样,所承受的静电能量要比双电极的高很多。 用溃坝的原理来讲,红色类LED的‘坝’修得厚很多,所用的材...
LED被静电击穿、伤害后,有什么样的不良?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

LED被静电击穿、伤害后,有什么样的不良?

被静电击损后的LED如果是比较严重的往往是死灯、漏电。 轻微的静电损伤,LED一般没有什么异常,但此时,该LED已经有一定的隐患,当它受到二次静电损伤时,那就会出现暗亮、死灯、漏电增大啦。
LED被静电击穿、伤害的原理和过程是怎么样的?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

LED被静电击穿、伤害的原理和过程是怎么样的?

LED属于半导体类元件,它的PN结是直接裸露在外头的,很容遭遇静电。当LED两个电极上的极性不同的电荷积累(感应产生电荷或者转移过来的电荷)到一定的程度,又得不到及时释放,电荷能量一旦超过...
什么是静电?是如何产生的呢?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

什么是静电?是如何产生的呢?

由于电荷和电场的存而产生电荷转移,从而形成两个电压极性相反的能量叫静电。静电并非静止不动的电,静电与常用电从性质上是一样的,本质都是电荷。 静电在无处不在我们的身边,即便是做足了静...
ISO9000与20等认证有何区别与联系?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

ISO9000与20等认证有何区别与联系?

ISO9000与20等认证有很多相似的之处,但又有区别。20是在ISO9001的基础上,对静电放电防护控制体系的特定要求。标准对工厂的ESD体系的建立、EPA的建立、敏感器件的包装、生产各环节的处理、人员...
静电防护的头像-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享黄金会员静电防护6年前
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20认证与我国的3C认证有何不同?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

20认证与我国的3C认证有何不同?

3C认证是产品的认证,ESD认证是完整的体系认证(包括文件、人员及防护设施体等)认证
静电防护的头像-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享黄金会员静电防护6年前
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什么是闩锁效应?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

什么是闩锁效应?

闩锁(latchup)效应是描述半导体器件内发生的特殊类型短路的一个术语。形成的寄生结构包含P道MOSFET和N沟MOSFET晶体管,从而导致寄生的PNPN结构产生。在MOSFET电路的电源供给线之间会意外形成...