ESD和EOS失效怎么判定?

EOS和ESD一般都是通过FA看内部损坏的情况再界定。

EOS因为是过电应力的损坏,所以一般都有比较明显的损坏痕迹,例如wire烧毁,芯片明显的burn mark,fused compound,fused silicon等等,因为过电应力的能量很大,而且时间相对ESD来说比较长,所以烧毁痕迹很容易观察到,明显有变色,拉弧,烧熔等痕迹。

但是ESD的损坏痕迹就不明显,一般都是开封后内部结构基本很完整,只有通过失效定位找到ESD的损坏点,然后进一步查找ESD击穿点,通常都是氧化层的针孔击穿等很小的放电痕迹。

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